圖為全球半導(dǎo)體制造巨頭臺(tái)積電LOGO標(biāo)識(shí)

全球半導(dǎo)體制造巨頭臺(tái)積電今日（4月8日）對(duì)外宣布，其美國(guó)子公司TSMC Arizona與美國(guó)商務(wù)部已達(dá)成一項(xiàng)初步備忘錄，據(jù)此，TSMC Arizona將獲得高達(dá)66億美元的直接補(bǔ)助和50億美元的貸款，以支持其在亞利桑那州建設(shè)其在美國(guó)的第三座芯片晶圓廠。此舉標(biāo)志著臺(tái)積電在美國(guó)市場(chǎng)的投資戰(zhàn)略邁出了重要一步，也反映了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的深刻變化。

根據(jù)初步備忘錄，臺(tái)積電不僅將獲得可觀的直接補(bǔ)助，還有望獲得最高達(dá)50億美元的貸款支持。這一財(cái)政激勵(lì)措施無(wú)疑為臺(tái)積電在亞利桑那州增設(shè)第三座晶圓廠提供了強(qiáng)有力的資金保障。臺(tái)積電方面表示，這一新廠的設(shè)立旨在滿足全球客戶對(duì)高性能芯片日益增長(zhǎng)的需求，并鞏固公司在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。

臺(tái)積電計(jì)劃中的第三座晶圓廠將采用先進(jìn)的制程技術(shù)，以確保產(chǎn)品在全球市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。據(jù)悉，該廠將在21世紀(jì)20年代底采用2納米或更先進(jìn)的制程技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)，這一技術(shù)突破將為公司帶來(lái)顯著的技術(shù)和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。

臺(tái)積電在公告中詳細(xì)披露了新廠的建設(shè)進(jìn)度。根據(jù)規(guī)劃，TSMC Arizona的第一座晶圓廠將于2025年上半年開(kāi)始生產(chǎn)4納米制程技術(shù)的芯片，而第二座晶圓廠則將采用此前宣布的3納米技術(shù)，預(yù)計(jì)于2028年開(kāi)始生產(chǎn)。這些新廠的建設(shè)將使臺(tái)積電在亞利桑那州鳳凰城的投資總額超過(guò)650億美元，成為該州歷史上規(guī)模最大的外國(guó)直接投資項(xiàng)目。

在宣布新廠建設(shè)的同時(shí)，臺(tái)積電還表示將向美國(guó)財(cái)政部申請(qǐng)最高可達(dá)25%的投資稅收抵免，以進(jìn)一步降低資本支出壓力。這一舉措不僅有助于提升公司的財(cái)務(wù)表現(xiàn)，也體現(xiàn)了臺(tái)積電在優(yōu)化稅務(wù)結(jié)構(gòu)、提高運(yùn)營(yíng)效率方面的積極努力。

臺(tái)積電在公告中重申了其對(duì)長(zhǎng)期財(cái)務(wù)目標(biāo)的承諾，即營(yíng)收以美元計(jì)的年復(fù)合成長(zhǎng)率為15%至20%、毛利率達(dá)53%以上，且股東權(quán)益報(bào)酬率高于25%。這些目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)將依賴(lài)于公司在技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)拓展和成本控制等方面的持續(xù)努力。

業(yè)內(nèi)專(zhuān)家分析認(rèn)為，臺(tái)積電在美國(guó)增設(shè)晶圓廠的決策，既是對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈調(diào)整的積極響應(yīng)，也是公司自身發(fā)展戰(zhàn)略的重要布局。隨著全球科技競(jìng)爭(zhēng)的加劇和半導(dǎo)體市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，臺(tái)積電通過(guò)在美國(guó)建立生產(chǎn)基地，可以更好地服務(wù)于全球客戶，提升市場(chǎng)份額，并降低地緣政治風(fēng)險(xiǎn)對(duì)公司業(yè)務(wù)的影響。

此外，臺(tái)積電在美國(guó)的投資也將為當(dāng)?shù)貛?lái)顯著的經(jīng)濟(jì)效益和就業(yè)機(jī)會(huì)。亞利桑那州政府對(duì)此表示歡迎，并期待與臺(tái)積電在更多領(lǐng)域展開(kāi)合作，共同推動(dòng)當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì)社會(huì)的繁榮發(fā)展。